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激光器增益芯片 780-1330nm  

激光器增益芯片 780-1330nm
增益芯片是用作外腔半導體激光器或可調(diào)諧二極管激光器增益介質(zhì)的半導體元件。增益芯片被用作TLS（可調(diào)諧光源），它可以使用波長選擇濾波器（如衍射光柵）來改變振蕩波長。增益芯片類似于激光二極管芯片，不同的是它在一個或兩個端面上都有較深的抗反射涂層，大大提高或消除了自激閾值。


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產(chǎn)品型號 21
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GCA1310060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1310nm； 中心波長：1310nm； 調(diào)諧范圍：60nm； 最大輸出功率：220mW； 正向電流：800mA； 慢軸光束發(fā)散角：5deg； 快軸光束發(fā)散角：38deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCA1110070TC300MXXXX-A型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1120nm； 中心波長：1105nm； 調(diào)諧范圍：70nm； 最大輸出功率：350mW； 正向電流：600mA； 慢軸光束發(fā)散角：4deg； 快軸光束發(fā)散角：35deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCA1160090TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1160nm； 中心波長：1150nm； 調(diào)諧范圍：90nm； 最大輸出功率：230mW； 正向電流：600mA； 慢軸光束發(fā)散角：5deg； 快軸光束發(fā)散角：42deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCA1180080TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1190nm； 中心波長：1180nm； 調(diào)諧范圍：80nm； 最大輸出功率：220mW； 正向電流：600mA； 慢軸光束發(fā)散角：4deg； 快軸光束發(fā)散角：37deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCA1260060TC120MXXXX-A型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1260nm； 中心波長：1260nm； 調(diào)諧范圍：60nm； 最大輸出功率：120mW； 正向電流：400mA； 慢軸光束發(fā)散角：5deg； 快軸光束發(fā)散角：38deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCA1270060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1270nm； 中心波長：1270nm； 調(diào)諧范圍：60nm； 最大輸出功率：200mW； 正向電流：800mA； 慢軸光束發(fā)散角：6deg； 快軸光束發(fā)散角：33deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCA1270140TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1310nm； 中心波長：1270nm； 調(diào)諧范圍：140nm； 最大輸出功率：220mW； 正向電流：800mA； 慢軸光束發(fā)散角：5deg； 快軸光束發(fā)散角：38deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCA1330060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1340nm； 中心波長：1330nm； 調(diào)諧范圍：60nm； 最大輸出功率：210mW； 正向電流：800mA； 慢軸光束發(fā)散角：5deg； 快軸光束發(fā)散角：38deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB0780030TC030MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：780nm； 中心波長：775nm； 調(diào)諧范圍：30nm； 最大輸出功率：33mW； 正向電流：150mA； 慢軸光束發(fā)散角：7.5deg； 快軸光束發(fā)散角：22deg；    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB0920090TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：920nm； 中心波長：905nm； 調(diào)諧范圍：90nm； 最大輸出功率：200mW； 正向電流：400mA； 慢軸光束發(fā)散角：8.5deg； 快軸光束發(fā)散角：36deg；    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB0950110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：980nm； 中心波長：950nm； 調(diào)諧范圍：110nm； 最大輸出功率：200mW； 正向電流：400mA； 慢軸光束發(fā)散角：5.5deg； 快軸光束發(fā)散角：31deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1030150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1060nm； 中心波長：1025nm； 調(diào)諧范圍：150nm； 最大輸出功率：200mW； 正向電流：400mA； 慢軸光束發(fā)散角：9.5deg； 快軸光束發(fā)散角：38deg；    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1030160TC100MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1060nm； 中心波長：1030nm； 調(diào)諧范圍：160nm； 最大輸出功率：110mW； 正向電流：200mA； 慢軸光束發(fā)散角：8deg； 快軸光束發(fā)散角：18deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1060150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1090nm； 中心波長：1060nm； 調(diào)諧范圍：150nm； 最大輸出功率：210mW； 正向電流：400mA； 慢軸光束發(fā)散角：8deg； 快軸光束發(fā)散角：17deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1105130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1130nm； 中心波長：1105nm； 調(diào)諧范圍：130nm； 最大輸出功率：200mW； 正向電流：400mA； 慢軸光束發(fā)散角：9deg； 快軸光束發(fā)散角：38deg；    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1180100TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1190nm； 中心波長：1170nm； 調(diào)諧范圍：100nm； 最大輸出功率：210mW； 正向電流：600mA； 慢軸光束發(fā)散角：6deg； 快軸光束發(fā)散角：37deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1220110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1240nm； 中心波長：1215nm； 調(diào)諧范圍：110nm； 最大輸出功率：230mW； 正向電流：800mA； 慢軸光束發(fā)散角：6deg； 快軸光束發(fā)散角：32deg；    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1260060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1270nm； 中心波長：1260nm； 調(diào)諧范圍：60nm； 最大輸出功率：210mW； 正向電流：800mA； 慢軸光束發(fā)散角：7deg； 快軸光束發(fā)散角：38deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1270130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1320nm； 中心波長：1270nm； 調(diào)諧范圍：130nm； 最大輸出功率：200mW； 正向電流：800mA； 慢軸光束發(fā)散角：6deg； 快軸光束發(fā)散角：38eg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1300060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1320nm； 中心波長：1300nm； 調(diào)諧范圍：60nm； 最大輸出功率：200mW； 正向電流：800mA； 慢軸光束發(fā)散角：6deg； 快軸光束發(fā)散角：38deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
GCB1330070TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封裝)   [PDF] 波長（最大功率處）：1340nm； 中心波長：1325nm； 調(diào)諧范圍：70nm； 最大輸出功率：200mW； 正向電流：800mA； 慢軸光束發(fā)散角：7deg； 快軸光束發(fā)散角：37deg；    價格 : ￥0 庫存/貨期:請咨詢客服
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增益芯片是用作外腔半導體激光器或可調(diào)諧二極管激光器增益介質(zhì)的半導體元件。增益芯片被用作TLS（可調(diào)諧光源），它可以使用波長選擇濾波器（如衍射光柵）來改變振蕩波長。增益芯片類似于激光二極管芯片，不同的是它在一個或兩個端面上都有較深的抗反射涂層，大大提高或消除了自激閾值。


通用參數(shù)

使用衍射光柵的外腔激光器有兩種：Littrow型和Littman/Metcalf型。Littrow型衍射光柵的初級衍射光直接反饋到半導體激光器中，通過與垂直端面的低反射膜（LR）共振來實現(xiàn)振蕩。由于衍射只進行一次，因此獲得比Littman型更大的光學輸出。


通過旋轉(zhuǎn)光柵來掃描波長。一般來說，采用腔內(nèi)消色差透鏡對光柵上較大面積的擴展光束進行準直。零級衍射光束可以作為輸出激光束。Innvolume 增益芯片的產(chǎn)品線可細分為兩大類:

?單面光接入(類型A和B)

?雙面光接入(類型C和D)


在輸出功率從外腔向外耦合的方案中，單邊光纖接入增益芯片是理想的工作元件。通常，它們的封裝形式是晶體管外形罐。雙邊光纖接入增益芯片可用于從增益芯片端面進行功率輸出耦合以減少光損耗的方案中，或用于光放大方案中。


A型增益芯片具有垂直于端面的直條紋，具有高反射和抗反射涂層。這是構(gòu)造外腔二極管激光器很有性價比的解決方案。A型增益芯片具有對稱的光束遠場，使用高數(shù)值孔徑的非球面透鏡，提供與外腔和后腔的有效耦合。與其他類型相比，這種類型的增益芯片具有相對較低的增益譜紋波抑制，這是由于抗反射涂層的反射率在0.1%的水平上，并且可以通過彎曲條紋到端面的設計來進一步降低反射率。


B型增益芯片具有彎曲條紋，正常側(cè)為高反射率，傾斜側(cè)為深反射率涂層。彎曲的條紋和抗反射涂層提供極低的反射率(< 10E-5)，允許抑制自激光和Min. 化增益起伏。彎曲條紋的缺點是輸出光束的畸變，這使準直變得困難，并降低了反向耦合的效率。故必須使用高數(shù)值孔徑的光學器件。


C型增益芯片在傾斜側(cè)有彎曲條紋和抗反射涂層，在正常側(cè)有百分之幾的反射率。波長選擇反饋必須設置在傾斜側(cè)(與B型的優(yōu)點和缺點相同)，而輸出功率則從正常側(cè)進行輸出。這種設計使得輸出功率高，輸出光束較好。帶正常條紋的端面反射必須根據(jù)系統(tǒng)配置和所需輸出功率分別進行設計。


D型增益芯片有一個傾斜條紋，兩側(cè)均有抗反射涂層，通常適用于需要內(nèi)置放大單元的先進光學方案。創(chuàng)新的刻面涂層技術(shù)，包括刻面鈍化，滿足高可靠性要求。符合ISO9001:2008的生產(chǎn)標準，是基于精心設計制造和廣泛測試的結(jié)果。每個設備都經(jīng)過單獨測試，并附帶一組測試數(shù)據(jù)。





尺寸圖




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