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首頁(yè)/ 產(chǎn)品中心 / 光電探測(cè)器 / Si硅光電探測(cè)器/ 硅 Si 光電平衡探測(cè)器 BPD-SI系列 400~1100nm

EOT 太赫茲 VCSEL 光纖定制橫河光譜儀 TDLAS EDFA 觀察鏡干涉儀超快激光器中紅外相機(jī) 光束質(zhì)量分析儀光譜分析 TDLAS

硅 Si 光電平衡探測(cè)器 BPD-SI系列 400~1100nm

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產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品特點(diǎn)
產(chǎn)品應(yīng)用
通用參數(shù)
相關(guān)產(chǎn)品

高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。

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縱向橫向

產(chǎn)品型號(hào) ⁵

操作	名稱	描述	帶寬(Hz)	光譜響應(yīng)
E80040251	400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 100MHz [PDF]	工作波長(zhǎng)：400~1100nm；帶寬：100MHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：12pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：DC/AC	100 MHz	400-1100nm	價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服	請(qǐng)聯(lián)系客服 > 或提交詢價(jià)單
E80040360	400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 1GHz [PDF]	工作波長(zhǎng)：400-1100nm；帶寬：1GHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：13pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：AC	1 GHz	400-1100nm	價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服	請(qǐng)聯(lián)系客服 > 或提交詢價(jià)單
E80040357	400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 200MHz [PDF]	工作波長(zhǎng)：400-1100nm；帶寬：200MHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：12pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：DC/AC	200 MHz	400-1100nm	價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服	請(qǐng)聯(lián)系客服 > 或提交詢價(jià)單
E80040358	400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 350MHz [PDF]	工作波長(zhǎng)：400-1100nm；帶寬：350MHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：12pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：DC/AC	350 MHz	400-1100nm	價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服	請(qǐng)聯(lián)系客服 > 或提交詢價(jià)單
E80040359	400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 500MHz [PDF]	工作波長(zhǎng)：400-1100nm；帶寬：500MHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：13pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：AC	500 MHz	400-1100nm	價(jià)格 : 請(qǐng)聯(lián)系客服庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服	請(qǐng)聯(lián)系客服 > 或提交詢價(jià)單

名稱	貨號(hào)貨期	描述	參數(shù)	價(jià)格
400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 100MHz [PDF]	E80040251	工作波長(zhǎng)：400~1100nm；帶寬：100MHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：12pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：DC/AC	帶寬(Hz): 100 MHz 光譜響應(yīng): 400-1100nm	聯(lián)系客服或提交詢價(jià)單
400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 1GHz [PDF]	E80040360	工作波長(zhǎng)：400-1100nm；帶寬：1GHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：13pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：AC	帶寬(Hz): 1 GHz 光譜響應(yīng): 400-1100nm	聯(lián)系客服或提交詢價(jià)單
400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 200MHz [PDF]	E80040357	工作波長(zhǎng)：400-1100nm；帶寬：200MHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：12pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：DC/AC	帶寬(Hz): 200 MHz 光譜響應(yīng): 400-1100nm	聯(lián)系客服或提交詢價(jià)單
400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 350MHz [PDF]	E80040358	工作波長(zhǎng)：400-1100nm；帶寬：350MHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：12pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：DC/AC	帶寬(Hz): 350 MHz 光譜響應(yīng): 400-1100nm	聯(lián)系客服或提交詢價(jià)單
400-1100nm 硅Si光電平衡探測(cè)器 500MHz [PDF]	E80040359	工作波長(zhǎng)：400-1100nm；帶寬：500MHz ；探測(cè)器響應(yīng)度：0.55A/W @850nm；跨阻增益：30KV/A；飽和輸入光功率：250uW；NEP：13pW/Sqrt(Hz)；共模抑制比：>25dB；輸出阻抗：50Ω；輸出耦合方式：AC	帶寬(Hz): 500 MHz 光譜響應(yīng): 400-1100nm	聯(lián)系客服或提交詢價(jià)單

總覽

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低

高增益

高帶寬

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

分布式光纖傳感

激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)

光學(xué)相干層析

光譜測(cè)量

ns級(jí)光脈沖探測(cè)

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	BPD-Si-100M-B	BPD-Si-200M-B	BPD-Si-350M-B	BPD-Si-500M-B	BPD-Si-1G-B	單位
探測(cè)器型號(hào)	Si
波長(zhǎng)	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	nm
帶寬	100M	200M	350M	500M	1G	Hz
探測(cè)器響應(yīng)度	0.55@850nm	0.55@850nm	0.55@850nm	0.55@850nm	0.55@850nm	A/W
跨阻增益	30K	30K	30K	30K	30K	V/A
飽和輸入光功率	250	250	250	250	250	μW
NEP	12	12	12	13	13	pW/Sqrt(Hz)
共模抑制比	>25	>25	>25	>25	>25	dB
輸出阻抗	50	50	50	50	50	Ω
輸出耦合方式	DC/AC	DC/AC	DC/AC	AC	AC
供電電壓	5	5	5	12	12	V
供電電流	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	0.5(max)	A
光學(xué)輸入	FC/APC（自由空間可選）	FC/APC（自由空間可選）	FC/APC（自由空間可選）	FC/APC（自由空間可選）	FC/APC（自由空間可選）
射頻輸出	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA
外形尺寸	624725	624725	624725	624725	624725	mm