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900-1700nm 銦鎵砷InGaAs 超大光敏面光電二極管(10mm ) 近紅外波長  

900-1700nm 銦鎵砷InGaAs 超大光敏面光電二極管(10mm ) 近紅外波長
筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。


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產(chǎn)品型號 1
貨號 操作 名稱
E80042060  900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光電二極管   [PDF] 光譜響應范圍 900-1700nm;光敏面直徑 10mm;響應度@1550nm 0.95 A/W; 光敏材料 InGaAs;5 Pin腳    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
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筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。


產(chǎn)品特點

● 10mm超大光敏面

● 900nm-1700nm光譜響應

● 高線性>10dBm

● —正照平面型芯片結(jié)構(gòu)

●低暗電流


產(chǎn)品應用

● 激光功率計

● LED/LD老化診斷

● 光譜學

● LED/LD特性

● 眼睛安全激光檢測傳感器

通用參數(shù)

技術(shù)參數(shù)

特性參數(shù)

符號

測試條件

Min.

典型

Max.

單位

光譜響應范圍

λ

900~1700

nm

光敏面直徑

φ

10

mm

響應度

 Re

VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw

0.85

A/W

VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw

0.95

響應時間

tS

VR=5V,RL=50Ω,f=2kHz

8

20

μs

總電容

C

VR=5V,f=1kHz

3

10

nF

暗電流

ID

VR=5V,φe=0

25

100

nA

分流阻抗

Rsh

VR=10mV

10


光譜響應曲線

tu1.png

封裝及尺寸

tu2.png

極限值

參數(shù)名稱

符號

額定值

單位

工作溫度

TC

-40~+85

貯存溫度

TSTG

-55~+125

正向電流

IF

10

mA

反向電流

IR

5

mA

焊接溫度(時間)

T(t)

260℃(10s)

-











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