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PVIA-2TE-3

PVIA-2TE-5

有源元件材料

外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)

外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)

起始波長λ_cut-on (10%), μm

2.1±0.2

2.4±0.2

峰值波長λ_peak（μm）

2.9±0.3

4.7±0.3

截止波長λ_cut-off (10%), μm

3.4±0.2

5.5±0.2

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λ_peak),cm·Hz^1/2/W

≥5×10¹¹

≥4×10¹⁰

電流響應(yīng)度Ri(λ_peak),A/W

≥1.3

≥1.5

時(shí)間常數(shù)T，ns

≤15

≤5

電阻R,Ω

≥200K

≥1K

元件工作溫度T_det,K

~230

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO8

接收角Φ

～36°

窗口

wAl₂O₃

T_det , K

~230

V_max , V

1.3

I_max , A

1.2

Q_max , W

0.36

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積A_O；mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

3.2±0.30

探測器

1,3

反向偏壓（可選）

1（-）,3（+）

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2（+），8（-）

底板接地

11

未使用

4，5，6，10，12