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貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 | 帶寬(Hz) | ||
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E80043140 | Si雪崩單元探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] | 波長:400-1100nm;帶寬:100MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學輸入:FC/APC | 100 MHz |
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E80040341 | Si雪崩單元探測器 1GHz 400-1100nm FC/APC [PDF] | 波長:400-1100nm;帶寬:1GHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.2pW/√(Hz);輸出耦合方式:AC;光學輸入:FC/APC | 1 GHz |
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E80040339 | Si雪崩單元探測器 200MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] | 波長:400-1100nm;帶寬:200MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學輸入:FC/APC | 200 MHz |
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E80040342 | Si雪崩單元探測器 2GHz 400-1100nm FC/APC [PDF] | 波長:400-1100nm;帶寬:2GHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:30uW;NEP:0.2pW/√(Hz);輸出耦合方式:AC;光學輸入:FC/APC | 2 GHz |
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E80040340 | Si雪崩單元探測器 300MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] | 波長:400-1100nm;帶寬:300MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學輸入:FC/APC | 300 MHz |
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E80040216 | Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] | 波長:400-1100nm;帶寬:400MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學輸入:FC/APC | 400 MHz |
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E80040194 | Si雪崩單元探測器 500MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] | 波長:400-1100nm;帶寬:500MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC;光學輸入:FC/APC | 500 MHz |
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圖片 | 名稱 | 貨號貨期 | 描述 | 參數(shù) | 價格 |
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Si雪崩單元探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] |
E80043140
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波長:400-1100nm;帶寬:100MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學輸入:FC/APC |
帶寬(Hz): 100 MHz |
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Si雪崩單元探測器 1GHz 400-1100nm FC/APC [PDF] |
E80040341
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波長:400-1100nm;帶寬:1GHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.2pW/√(Hz);輸出耦合方式:AC;光學輸入:FC/APC |
帶寬(Hz): 1 GHz |
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Si雪崩單元探測器 200MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] |
E80040339
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波長:400-1100nm;帶寬:200MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學輸入:FC/APC |
帶寬(Hz): 200 MHz |
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Si雪崩單元探測器 2GHz 400-1100nm FC/APC [PDF] |
E80040342
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波長:400-1100nm;帶寬:2GHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:30uW;NEP:0.2pW/√(Hz);輸出耦合方式:AC;光學輸入:FC/APC |
帶寬(Hz): 2 GHz |
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Si雪崩單元探測器 300MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] |
E80040340
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波長:400-1100nm;帶寬:300MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學輸入:FC/APC |
帶寬(Hz): 300 MHz |
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Si雪崩單元探測器 400MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] |
E80040216
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波長:400-1100nm;帶寬:400MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC/AC;光學輸入:FC/APC |
帶寬(Hz): 400 MHz |
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Si雪崩單元探測器 500MHz 400-1100nm FC/APC [PDF] |
E80040194
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波長:400-1100nm;帶寬:500MHz;探測器響應度:25A/W@850nm;跨阻增益:300K V/W;飽和功率:13uW;NEP:0.18pW/√(Hz);輸出耦合方式:DC;光學輸入:FC/APC |
帶寬(Hz): 500 MHz |
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Si雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點
產(chǎn)品特點
噪聲低
高增益
內(nèi)置高壓電源
APD溫度補償
結(jié)構(gòu)緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源
產(chǎn)品應用
光纖傳感
光纖通信
激光測距
光譜測量
ns 級光脈沖探測
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品型號 | APD-100M-B | APD-200M-B | APD-300M-B | APD-400M-B | APD-500M-B | APD-1G-B | APD-2G-B | 單位 |
探測器類型 | Si | |||||||
波長 | 400~1100 | nm | ||||||
帶寬 | 100M | 200M | 300M | 400M | 500M | 1G | 2G | Hz |
響應度 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | A/W@850nm |
跨阻增益 | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | V/W |
輸出阻抗 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | Ω |
飽和功率 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 30 | uW |
NEP | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.2 | 0.2 | pW/√(Hz) |
輸出耦合方式 | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC | AC | AC | |
供電電壓 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 12 | 12 | V |
供電電流 | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | A |
光學輸入 | FC/APC(自由空間光可選) | |||||||
射頻輸出 | SMA | |||||||
外形尺寸 | 65*50*20 | mm |