GCB1180100TC200MXXXX.pdf
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波長（最大功率處）：1190nm； 中心波長：1170nm； 調諧范圍：100nm； 最大輸出功率：210mW； 正向電流：600mA； 慢軸光束發(fā)散角：6deg； 快軸光束發(fā)散角：37deg；
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產品特點
? 針對外腔波長鎖定操作進行了優(yōu)化
? 寬泛的無跳頻調諧范圍
? 高 SMSR
? 在Max. 工作電流范圍內無自激激光
? TE偏振
產品應用
? 外腔二極管激光器
? 可調諧激光源
推薦操作條件
參數(shù) | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 單位 |
散熱器溫度 | 20 | 25 | 30 | ℃ |
正向電流* | 600 | mA | ||
光反饋** | 20 | % |
*達到Max. 電流時不會產生自激激光
** 不包括與芯片的耦合效率
可調諧特性
批量合格 @ CW、25C、600mA、采用 Littman 配置的外腔，具有 20% 反饋
參數(shù) | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 單位 |
Max. 功率波長 | 1165 | 1190 | 1195 | nm |
輸出功率@780nm | 150 | 210 | mW | |
調諧范圍中心波長 | 1145 | 1170 | 1175 | nm |
調諧范圍寬度（全） | 100 | nm | ||
邊模抑制比（SMSR）@780nm | 55 | dB |
放大自發(fā)輻射(ASE)特性
測試每個樣品@ CW, 25C,600mA，無反饋
參數(shù) | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 單位 |
輸出功率 | 40 | mW | ||
正向電壓 | 1.55 | 2.1 | V | |
平均波長 | 1127 | nm | ||
帶寬（FWHM）* | 22 | nm | ||
32 | 37 | 42 | deg | |
慢軸光束發(fā)散度 (FWHM) | 5 | 6 | 11 | deg |
偏振 | TE |
*輻射耦合于無透鏡的單模光纖中，并通過 OSA 以 1 nm 分辨率進行測量。
芯片參數(shù)
參數(shù) | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 單位 |
芯片長度 | 3 | mm | ||
正面的背向反射 | 0.1 | % | ||
背面的背向反射 | 90 | 99 | % |
外腔典型性能（僅供參考）
@ CW，推薦工作條件，Littman 配置
jue對Max. 額定參數(shù)
參數(shù) | Min. 值 | Max. 值 | 單位 |
正向電流@20%反饋 | 800 | mA | |
光學反饋（不包括與芯片的耦合） | 30 | % | |
反向電壓 | 1 | V | |
工作溫度（高于露點） | -10 | 60 | ℃ |
存儲溫度（在原始密封包裝中） | -40 | 85 | ℃ |
圖紙
安全和操作說明
本設備發(fā)出的激光是不可見的，對人眼有危險。設備運行時，請避免直視光纖輸出或沿其光軸的準直光束。操作期間必須佩戴適當?shù)募す獍踩坨R。
jue對Max. 額定值僅可短時間應用于設備。長時間暴露于Max. 額定值或暴露于超過一個或多個Max. 額定值可能會導致設備損壞或影響設備的可靠性。
在產品的Max. 額定值之外操作可能會導致設備故障或安全隱患。必須使用與設備一起使用的電源，以使Max. 峰值光功率不超過。需要為熱輻射器上的設備配備適當?shù)纳崞鳎仨毚_保散熱器有足夠的散熱和導熱性。
該設備是開放式散熱器激光二極管；只能在清潔的空氣或防塵外殼中操作。必須控制工作溫度和相對濕度，以避免激光面凝結水珠。必須避免激光面受到任何污染或接觸。
ESD 保護 - 靜電放電是產品意外故障的主要原因。采取極端預防措施防止 ESD。處理產品時，請使用腕帶、接地工作表面和嚴格的防靜電技術。
使用衍射光柵的外腔激光器有兩種：Littrow型和Littman/Metcalf型。Littrow型衍射光柵的初級衍射光直接反饋到半導體激光器中，通過與垂直端面的低反射膜（LR）共振來實現(xiàn)振蕩。由于衍射只進行一次，因此獲得比Littman型更大的光學輸出。
通過旋轉光柵來掃描波長。一般來說，采用腔內消色差透鏡對光柵上較大面積的擴展光束進行準直。零級衍射光束可以作為輸出激光束。Innvolume 增益芯片的產品線可細分為兩大類:
?單面光接入(類型A和B)
?雙面光接入(類型C和D)
在輸出功率從外腔向外耦合的方案中，單邊光纖接入增益芯片是理想的工作元件。通常，它們的封裝形式是晶體管外形罐。雙邊光纖接入增益芯片可用于從增益芯片端面進行功率輸出耦合以減少光損耗的方案中，或用于光放大方案中。
A型增益芯片具有垂直于端面的直條紋，具有高反射和抗反射涂層。這是構造外腔二極管激光器很有性價比的解決方案。A型增益芯片具有對稱的光束遠場，使用高數(shù)值孔徑的非球面透鏡，提供與外腔和后腔的有效耦合。與其他類型相比，這種類型的增益芯片具有相對較低的增益譜紋波抑制，這是由于抗反射涂層的反射率在0.1%的水平上，并且可以通過彎曲條紋到端面的設計來進一步降低反射率。
B型增益芯片具有彎曲條紋，正常側為高反射率，傾斜側為深反射率涂層。彎曲的條紋和抗反射涂層提供極低的反射率(< 10E-5)，允許抑制自激光和Min. 化增益起伏。彎曲條紋的缺點是輸出光束的畸變，這使準直變得困難，并降低了反向耦合的效率。故必須使用高數(shù)值孔徑的光學器件。
C型增益芯片在傾斜側有彎曲條紋和抗反射涂層，在正常側有百分之幾的反射率。波長選擇反饋必須設置在傾斜側(與B型的優(yōu)點和缺點相同)，而輸出功率則從正常側進行輸出。這種設計使得輸出功率高，輸出光束較好。帶正常條紋的端面反射必須根據(jù)系統(tǒng)配置和所需輸出功率分別進行設計。
D型增益芯片有一個傾斜條紋，兩側均有抗反射涂層，通常適用于需要內置放大單元的先進光學方案。創(chuàng)新的刻面涂層技術，包括刻面鈍化，滿足高可靠性要求。符合ISO9001:2008的生產標準，是基于精心設計制造和廣泛測試的結果。每個設備都經過單獨測試，并附帶一組測試數(shù)據(jù)。
尺寸圖
| 名稱 | 型號貨號 | 描述 | 價格 |
|---|
營業(yè)執(zhí)照