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銦鎵砷InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型) 0.9-1.7μm  

銦鎵砷InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型) 0.9-1.7μm
InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現(xiàn)對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。


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產品型號 1
貨號 操作 名稱
E80042038  900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 非制冷型   [PDF] 光譜響應范圍0.9~1.7μm;響應度 @1550nm: 0.85 A/W; 3針TO46 封裝;SMF-28E 光纖耦合;FC/APC; 不帶 TEC    價格 : 請聯(lián)系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
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InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現(xiàn)對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

產品特點

● 光譜響應范圍0.9~1.7μm 

● 高探測效率、低暗計數(shù)率 

● 3 pin TO46

產品應用

● 弱光探測

● 量子保密通信 

● 生物醫(yī)療

技術參數(shù)

線性模式參數(shù)

產品型號

IGA-APD-GM104-R

參數(shù)

符號

單位

測試條件

最小

典型

最大

反向擊穿電壓

VBR

V

22±3 ID =10μA

60

80

90

響應度

Re

A/W

22±3 ,λ =1550nm ,M =1

0.8

0.85


暗電流

ID

nA

22±3 ,M =10


0.1

0.3

電容

C

pF

22±3 M =10 f=1MHz



0.25

擊穿電壓溫度 系數(shù)

η

V/K

-40 ~80℃,ID =10μA



0.15


蓋革模式參數(shù)


參數(shù)

單位

測試條件

最小

典型

最大

單光子探測效 PDE

%

-45 λ =1550nm, 0.1ph/pulse

泊松分布單光子源

20



暗計數(shù)率DCR

kHz

-45 ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



 

20*

后脈沖概率 APP


-45 ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



 

1× 10-3

時間抖動Tj

ps

-45 1ns ,2MHz門控重頻,PDE=20%



100

* 可提供不同等級規(guī)格產品



TO46 (尾纖封裝)

APD1.png












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