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參數(shù)

符號(hào)

單位

測(cè)試條件

最小

典型

最大

反向擊穿電壓

V_BR

V

22℃±3℃ ，ID =10μA

60

80

90

響應(yīng)度

R_e

A/W

22℃±3℃ ,λ =1550nm ，M =1

0.8

0.85

暗電流

I_D

nA

22℃±3℃ ，M =10

0.1

0.3

電容

C

pF

22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz

0.25

擊穿電壓溫度 系數(shù)

η

V/K

-40℃ ~80℃，I_D =10μA

0.15

參數(shù)

單位

測(cè)試條件

最小

典型

最大

單光子探測(cè)效 率PDE

%

-45℃ ，λ =1550nm， 0.1ph/pulse

泊松分布單光子源

20

暗計(jì)數(shù)率DCR

kHz

-45℃ ，1ns門寬， 2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%

20*

后脈沖概率 APP

-45℃ ，1ns門寬， 2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%

1× 10^-3

時(shí)間抖動(dòng)Tj

ps

-45℃ ，1ns 門 寬 ，2MHz門控重頻，PDE=20%

100