GCA1180080TC200MXXXX.pdf
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波長（最大功率處）：1190nm； 中心波長：1180nm； 調(diào)諧范圍：80nm； 最大輸出功率：220mW； 正向電流：600mA； 慢軸光束發(fā)散角：4deg； 快軸光束發(fā)散角：37deg；
?因產(chǎn)品升級或技術(shù)原因,產(chǎn)品配圖可能有出入,具體請咨詢客服!
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產(chǎn)品特點
? 針對外腔波長鎖定操作進(jìn)行了優(yōu)化
? 寬泛的無跳頻調(diào)諧范圍
? 高 SMSR
? 在Max. 工作電流范圍內(nèi)無自激激光
? TE偏振
產(chǎn)品應(yīng)用
? 外腔二極管激光器
? 可調(diào)諧激光源
推薦操作條件
參數(shù) | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 單位 |
散熱器溫度 | 20 | 25 | 30 | ℃ |
正向電流* | 600 | mA | ||
光反饋** | 20 | % |
*達(dá)到Max. 電流時不會產(chǎn)生自激激光
** 不包括與芯片的耦合效率
可調(diào)諧特性
批量合格 @ CW、25C、600mA、采用 Littman 配置的外腔，具有 20% 反饋
參數(shù) | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 單位 |
Max. 功率波長 | 1165 | 1190 | 1195 | nm |
輸出功率@780nm | 150 | 220 | mW | |
調(diào)諧范圍中心波長 | 1165 | 1180 | 1185 | nm |
調(diào)諧范圍寬度（全） | 80 | nm | ||
邊模抑制比（SMSR）@780nm | 60 | dB |
放大自發(fā)輻射(ASE)特性
測試每個樣品@ CW, 25C,600mA，無反饋
參數(shù) | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 單位 |
輸出功率 | 3.5 | mW | ||
正向電壓 | 1.5 | 2.2 | V | |
平均波長 | 1180 | nm | ||
帶寬（FWHM）* | 15 | nm | ||
33 | 37 | 43 | deg | |
慢軸光束發(fā)散度 (FWHM) | 3 | 4 | 11 | deg |
偏振 | TE |
*輻射耦合于無透鏡的單模光纖中，并通過 OSA 以 1 nm 分辨率進(jìn)行測量。
芯片參數(shù)
參數(shù) | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 單位 |
芯片長度 | 3 | mm | ||
正面的背向反射 | 0.1 | % | ||
背面的背向反射 | 90 | 99 | % |
外腔典型性能（僅供參考）
@ CW，推薦工作條件，Littman 配置
對Max. 額定參數(shù)
參數(shù) | Min. 值 | Max. 值 | 單位 |
正向電流@20%反饋 | 800 | mA | |
光學(xué)反饋（不包括與芯片的耦合） | 30 | % | |
反向電壓 | 1 | V | |
工作溫度（高于露點） | -10 | 60 | ℃ |
存儲溫度（在原始密封包裝中） | -40 | 85 | ℃ |
圖紙
安全和操作說明
本設(shè)備發(fā)出的激光是不可見的，對人眼有危險。設(shè)備運行時，請避免直視光纖輸出或沿其光軸的準(zhǔn)直光束。操作期間必須佩戴適當(dāng)?shù)募す獍踩坨R。
jue對Max. 額定值僅可短時間應(yīng)用于設(shè)備。長時間暴露于Max. 額定值或暴露于超過一個或多個Max. 額定值可能會導(dǎo)致設(shè)備損壞或影響設(shè)備的可靠性。
在產(chǎn)品的Max. 額定值之外操作可能會導(dǎo)致設(shè)備故障或安全隱患。必須使用與設(shè)備一起使用的電源，以使Max. 峰值光功率不超過。需要為熱輻射器上的設(shè)備配備適當(dāng)?shù)纳崞?，必須確保散熱器有足夠的散熱和導(dǎo)熱性。
該設(shè)備是開放式散熱器激光二極管；只能在清潔的空氣或防塵外殼中操作。必須控制工作溫度和相對濕度，以避免激光面凝結(jié)水珠。必須避免激光面受到任何污染或接觸。
ESD 保護(hù) - 靜電放電是產(chǎn)品意外故障的主要原因。采取極端預(yù)防措施防止 ESD。處理產(chǎn)品時，請使用腕帶、接地工作表面和嚴(yán)格的防靜電技術(shù)。
使用衍射光柵的外腔激光器有兩種：Littrow型和Littman/Metcalf型。Littrow型衍射光柵的初級衍射光直接反饋到半導(dǎo)體激光器中，通過與垂直端面的低反射膜（LR）共振來實現(xiàn)振蕩。由于衍射只進(jìn)行一次，因此獲得比Littman型更大的光學(xué)輸出。
通過旋轉(zhuǎn)光柵來掃描波長。一般來說，采用腔內(nèi)消色差透鏡對光柵上較大面積的擴展光束進(jìn)行準(zhǔn)直。零級衍射光束可以作為輸出激光束。Innvolume 增益芯片的產(chǎn)品線可細(xì)分為兩大類:
?單面光接入(類型A和B)
?雙面光接入(類型C和D)
在輸出功率從外腔向外耦合的方案中，單邊光纖接入增益芯片是理想的工作元件。通常，它們的封裝形式是晶體管外形罐。雙邊光纖接入增益芯片可用于從增益芯片端面進(jìn)行功率輸出耦合以減少光損耗的方案中，或用于光放大方案中。
A型增益芯片具有垂直于端面的直條紋，具有高反射和抗反射涂層。這是構(gòu)造外腔二極管激光器很有性價比的解決方案。A型增益芯片具有對稱的光束遠(yuǎn)場，使用高數(shù)值孔徑的非球面透鏡，提供與外腔和后腔的有效耦合。與其他類型相比，這種類型的增益芯片具有相對較低的增益譜紋波抑制，這是由于抗反射涂層的反射率在0.1%的水平上，并且可以通過彎曲條紋到端面的設(shè)計來進(jìn)一步降低反射率。
B型增益芯片具有彎曲條紋，正常側(cè)為高反射率，傾斜側(cè)為深反射率涂層。彎曲的條紋和抗反射涂層提供極低的反射率(< 10E-5)，允許抑制自激光和Min. 化增益起伏。彎曲條紋的缺點是輸出光束的畸變，這使準(zhǔn)直變得困難，并降低了反向耦合的效率。故必須使用高數(shù)值孔徑的光學(xué)器件。
C型增益芯片在傾斜側(cè)有彎曲條紋和抗反射涂層，在正常側(cè)有百分之幾的反射率。波長選擇反饋必須設(shè)置在傾斜側(cè)(與B型的優(yōu)點和缺點相同)，而輸出功率則從正常側(cè)進(jìn)行輸出。這種設(shè)計使得輸出功率高，輸出光束較好。帶正常條紋的端面反射必須根據(jù)系統(tǒng)配置和所需輸出功率分別進(jìn)行設(shè)計。
D型增益芯片有一個傾斜條紋，兩側(cè)均有抗反射涂層，通常適用于需要內(nèi)置放大單元的先進(jìn)光學(xué)方案。創(chuàng)新的刻面涂層技術(shù)，包括刻面鈍化，滿足高可靠性要求。符合ISO9001:2008的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，是基于精心設(shè)計制造和廣泛測試的結(jié)果。每個設(shè)備都經(jīng)過單獨測試，并附帶一組測試數(shù)據(jù)。
尺寸圖
| 名稱 | 型號貨號 | 描述 | 價格 |
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