貨號(hào) | 操作 | 名稱(chēng) | 描述 | 光譜響應(yīng) | 感光規(guī)格 |
---|
圖片 | 名稱(chēng) | 貨號(hào)貨期 | 描述 | 參數(shù) | 價(jià)格 |
---|
高性能正照平面型結(jié)構(gòu)的InGaAs APD 光電二極管芯片系列,具有高響應(yīng)度、高增益、低暗電流、低噪聲和高可靠性等特點(diǎn),可用于人眼安全激光雷達(dá)等領(lǐng)域??商峁〢PD 裸芯、TO 封裝, 接受定制化服務(wù)開(kāi)發(fā)。產(chǎn)品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。
光譜響應(yīng)范圍 0.9 ~1 .7 μm
光敏面直徑 200μm
高響應(yīng)度、低暗電流
高可靠性
人眼安全激光雷達(dá)、激光測(cè)距
光時(shí)域反射計(jì)(OTDR)
空間光通信
儀器儀表
光纖傳感
使用注意事項(xiàng)
采取必要的ESD 防護(hù)措施,以避免靜電損傷
InP 基的芯片易碎,取用時(shí)應(yīng)注意操作,推薦用真空吸附工具
芯片級(jí)光電參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) | OVQT-A200M50 | |||||
參數(shù) | 符號(hào) | 單位 | 測(cè)量條件 | Min. | 典型 | Max. |
光敏面直徑 | Φ | μm | - | 200 | ||
單位增益響應(yīng)度 | Re | A/W | λ = 1.55μm, Pin = 1 μW | 0.95 | 1.05 | - |
增益 | M | - | VR =VBR -3V | 10 | 18 | - |
Max. 增益 | Mmax | - | VR =VBR - 1V | 45 | 50 | - |
暗電流 | ID | A | VR =VBR -3V | - | 6.0 | 25 |
暗電流溫度系數(shù) | ΔTID | /℃ | VR=VBR-3V ,-40℃ ~85℃ | - | - | 1.1 |
電容 | Ct | F | VR =VBR-3V, f=1MHz | - | 2.0 | 2.5 |
-3dB 帶寬 | f-3dB | GHz | M=10, RL=50Ω | 0.4 | 1.4 | - |
反向擊穿電壓 | VBR | V | ID = 10μA | 30 | 42 | 80 |
擊穿電壓溫度系數(shù) | ? | V/°C | -40 ~ +85°C | 0.1 | - | 0.15 |
Max. jue對(duì)額定值
參數(shù) | 符號(hào) | 額定值 | 單位 |
反向電流 | IR | 2 | mA |
正向電流 | IF | 10 | mA |
工作溫度 | Tc | -40 ~ +85 | ℃ |
存儲(chǔ)溫度 | Tstg | -55 ~ +125 | ℃ |
典型特性曲線(xiàn)
芯片尺寸及結(jié)構(gòu)圖 um