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大光敏面銦鎵砷InGaAs APD芯片 光敏面200um(高增益版)  

大光敏面銦鎵砷InGaAs APD芯片 光敏面200um(高增益版)
高性能正照平面型結(jié)構(gòu)的InGaAs APD 光電二極管芯片系列,具有高響應(yīng)度、高增益、低暗電流、低噪聲和高可靠性等特點(diǎn),可用于人眼安全激光雷達(dá)等領(lǐng)域??商峁〢PD 裸芯、TO 封裝, 接受定制化服務(wù)開(kāi)發(fā)。產(chǎn)品符合Telcordia-GR-468-CORE  可靠性要求。


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產(chǎn)品型號(hào) 1
貨號(hào) 操作 名稱(chēng)
I80030010  InGaAs 銦鎵砷大光敏面APD芯片 光敏面直徑200um   [PDF] 光譜響應(yīng):0.9-1 .7um;芯片尺寸:400×400±10μm;光敏面直徑:200±2um;單位增益響應(yīng)度:1.05A/W; 焊盤(pán)直徑:60±2μm;增益:18;最大增益:50;暗電流:6.0A;電容:2.0F;芯片厚度:150±5μm;    價(jià)格 : ¥0 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢(xún)客服
總覽

高性能正照平面型結(jié)構(gòu)的InGaAs APD 光電二極管芯片系列,具有高響應(yīng)度、高增益、低暗電流、低噪聲和高可靠性等特點(diǎn),可用于人眼安全激光雷達(dá)等領(lǐng)域??商峁〢PD 裸芯、TO 封裝, 接受定制化服務(wù)開(kāi)發(fā)。產(chǎn)品符合Telcordia-GR-468-CORE  可靠性要求。


產(chǎn)品特點(diǎn)

光譜響應(yīng)范圍 0.9 ~1 .7 μm

光敏面直徑 200μm

高響應(yīng)度、低暗電流

高可靠性

產(chǎn)品應(yīng)用

人眼安全激光雷達(dá)、激光測(cè)距

光時(shí)域反射計(jì)(OTDR)

空間光通信

儀器儀表

光纖傳感

通用參數(shù)

使用注意事項(xiàng)

采取必要的ESD 防護(hù)措施,以避免靜電損傷

InP 基的芯片易碎,取用時(shí)應(yīng)注意操作,推薦用真空吸附工具



芯片級(jí)光電參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

OVQT-A200M50

參數(shù)

符號(hào)

單位

測(cè)量條件

Min.

典型

Max.

光敏面直徑

Φ

μm

-

200

單位增益響應(yīng)度

Re

A/W

λ = 1.55μm, Pin = 1 μW

0.95

1.05

-

增益

M

-

VR =VBR -3V

10

18

-

Max. 增益

 Mmax

 -

 VR =VBR - 1V

 45

 50

 -

暗電流

ID

A

VR =VBR -3V

-

6.0

25

暗電流溫度系數(shù)

 ΔTID

 /℃

VR=VBR-3V ,-40℃ ~85℃

 -

 -

 1.1

電容

Ct

F

VR =VBR-3V, f=1MHz

-

2.0

2.5

-3dB 帶寬

f-3dB

GHz

M=10, RL=50Ω

0.4

1.4

-

反向擊穿電壓

VBR

V

ID = 10μA

30

42

80

擊穿電壓溫度系數(shù)

?

V/°C

-40 ~ +85°C

0.1

-

0.15



Max. jue對(duì)額定值

參數(shù)

符號(hào)

額定值

單位

反向電流

IR

2

mA

正向電流

IF

10

mA

工作溫度

Tc

-40 ~ +85

存儲(chǔ)溫度

Tstg

-55 ~ +125


典型特性曲線(xiàn)

搜狗截圖20230426101026.png


搜狗截圖20230426101209.png


芯片尺寸及結(jié)構(gòu)圖 um

搜狗截圖20230426101425.png












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