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砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學(xué)浸沒式 紅外非冷卻光伏探測(cè)器 2.0-5.5um PVIA系列  

 砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb 光學(xué)浸沒式 紅外非冷卻光伏探測(cè)器 2.0-5.5um PVIA系列
PVIA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過光學(xué)浸沒來提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。


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產(chǎn)品型號(hào) 1
貨號(hào) 操作 名稱
E80040157  非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 紅外光伏探測(cè)器 2.15-3.5um   [PDF] 最佳波長(zhǎng)λopt:2.15±0.2μm;光敏面積 1×1mm^2;相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak): 2.95±0.3 cm·Hz1/2/W;有源元件材料:外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)    價(jià)格 : ¥0 庫(kù)存/貨期:請(qǐng)咨詢客服
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PVIA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過光學(xué)浸沒來提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm

● 可配專用前置放大器

● 高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒,提升探測(cè)器的性能


產(chǎn)品應(yīng)用

● 熱成像

● FTIR光譜學(xué)

● 激光外差探測(cè)

● 中紅外氣體分析


通用參數(shù)

參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVIA-3

PVIA-5

有源元件材料

外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)

外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)

zui佳波長(zhǎng)λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

2.95±0.3

4.7±0.3

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

3.5±0.2

5.5±0.2

電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥5×1010

≥5×109

時(shí)間常數(shù)T,ns

≥1.3

≥1.3

電阻R,Ω

≤20

≤15

元件工作溫度Tdet,K

≥2K

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO39

接收角Φ

~36°

窗口

無(wú)


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線


封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖


透鏡參數(shù)


參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO, mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

2.4±0.20


?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—超半球微型透鏡底部與焦平面的距離


引腳定義

功能

引腳號(hào)

探測(cè)器

1(-),2(+)

接地

3











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