10mm ge大光敏面探測器（bnc接口輸出）.pdf
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鍺光電二極管通常用于測量近紅外范圍內的光功率，尤其是在成本敏感型應用或需要大面積探測器的應用中。然而，與類似尺寸的 InGaAs 探測器相比，鍺探測器的分流電阻較低，暗電流較高，導致整體噪聲水平較高。因此，鍺探測器非常適合檢測信號遠高于本底噪聲的應用。筱曉光子提供“HS”系列鍺光電二極管，其分流電阻高于典型值，可提高性能。
● 芯片直徑從 1 毫米到 25 毫米
● 光譜響應從 800 nm 到 1700 nm
● 多種窗口和鏡頭選項
● 可用的光學濾波器（中性密度、帶通等）
● 熱電冷卻選項
● 多種封裝類型：TO 封裝、BNC 選項、陶瓷基座上的芯片等
● 光功率測量
● 光譜學
● 光學測試
● 醫(yī)療診斷
● 光纖接收器
10X10mm 鍺光電二極管性能規(guī)格 | ||||
型號 | GB10M-XX | GE-10X10-BNC | GV10M-XX | |
光電特性@ 23 oC ± 2 oC | 單位 | |||
RSHUNT @ 10mV (Min. /典型) | 聯(lián)系我們 | 2/3.5 | 聯(lián)系我們 | kΩ |
IDARK (Max. ) | 50 | μA | ||
電容 (Max. ) | 90000 | pF | ||
VREVERSE | 0.5 | V | ||
噪聲等效功率 (典型) | 6 | pW/Hz1/2 | ||
Max. 反向電壓 | 1 | V | ||
鍺光電二極管 | ||
光電特性 @ 23 oC ± 2 oC | ||
光譜響應范圍 | 800-1700 | nm |
響應度@850 nm（典型值） | 0.30 | A/W |
響應度@1300 nm（典型值） | 0.75 | A/W |
響應度@1550 nm（典型值） | 0.85 | A/W |
線性度 | 10 | dBm |
存儲溫度 | -40 to 125 | oC |
工作溫度 | -40 to 85 | oC |
Max. 額定值 @ 23 °C ± 2 °C | ||
反向電流 | 20 | mA |
正向電流 | 10 | mA |
不同溫度波長響應曲線：
電容偏置電壓曲線：
尺寸（單位mm）
營業(yè)執(zhí)照