硅(Si)放大型光電探測器 400 -1100nm (5MHz).pdf(?)
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感光面1.2mm*1.2 mm； 波長400-1100 nm； 帶寬DC-50MHz； RMS噪聲：800μV .typ； 電源：包含（±9V； 工作溫度：10-50℃
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| 貨號 : E80040189 | |
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硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測器，用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應(yīng)面輸入，輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產(chǎn)品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4"-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。 外殼部分還附帶兩種不同尺寸的螺紋接圈，這兩種螺紋接圈分別適合于工業(yè)應(yīng)用和科研應(yīng)用，可以方便適配外部光學(xué)部件，如濾光片，衰減片，鏡頭，F(xiàn)C光纖轉(zhuǎn)接盤等。該產(chǎn)品包含一個塑料防塵蓋。具體安裝請參考閱讀第三章節(jié)。 每個光電探測器都配有一個輸出±9V的直流線性電源，該直流電源的輸入額定電壓為220VAC/50HZ。
參數(shù) | |
型號 | PDA12A7B4G-VIS |
電氣特性 | |
輸入電壓 | +/-9V DC，100mA |
探頭 | Si PIN |
感光面 | 1.2*1.2 mm |
波長 | 400 nm-1100 nm |
峰值響應(yīng) | 0.55 A/W @850nm |
靈敏度 | 5.5 V/mW @850nm |
飽和光功率 | 1.3 mW @850nm |
帶寬 | DC- 50MHz |
NEP | 11 pW/√HZ |
輸出噪聲(RMS) | 450 uv .typ |
暗偏置電壓(MAX) | ±5mV |
上升沿/下降沿（10%-90%) | 7 ns |
輸出電壓 | |
Hi-Z | 0-7V |
50Ω | 0- 3.5V |
增益倍數(shù) | |
Hi-Z | 10 kV/A |
50Ω | 5 kV/A |
增益精度(typ) | ±1% |
其他參數(shù) | |
開關(guān) | 撥動開關(guān) |
輸出接口 | BNC |
尺寸 | 40*50*50mm |
重量 | 150g |
操作溫度 | 10℃ - 50 ℃ |
儲存溫度 | -25℃ - 70℃ |
帶寬測試條件，測量輸出值 100mV，驅(qū)動負載 50Ω。
上升沿測試條件，測量輸出高電平 3V，驅(qū)動負載 50Ω。
噪聲測試條件，完全暗光環(huán)境下，驅(qū)動負載 50Ω，測試輸出值。
儲存溫度在相對濕度下有效，相對溫度下環(huán)境濕度無凝結(jié)。
測試數(shù)據(jù)均在環(huán)境溫度 25±5℃，環(huán)境濕度 50±10%。
光譜靈敏度
交流傳輸特性
產(chǎn)品特點：
低噪聲，小于±1mV
過沖小，過沖電壓小于2.5%
增益穩(wěn)定：增益誤差小于1%
暗偏置電壓輸出噪聲：小于1mV (rms)
應(yīng)用領(lǐng)域：
?顯示面板檢測
?LED照明頻閃分析
?玩具燈閃爍頻率及功率測量
?氣體分析
參數(shù)
PN# | PDAM005B-Si | PDAM36A5B6G-SI | PDAM20A6B4G-InGaAs |
電器特性 | |||
輸入電壓 | ±9VDC, 60mA | ±9VDG 100mA | ±9VDC. 100mA |
探頭 | Silicon PIN | Silicon PIN | InGaAs PIN |
感光面 | 2.65mm * 2.65mm | 3.6mm * 3.6mm | Diameters@2 mm |
波長 | 400nm-1100nm | 320nm-1100nm | 800nm-1700nm (Optional Extended (可選擴展) 2600nm) |
峰值響應(yīng) | 0.62A/W @850nm | 0.6 A/W @960nm | 0.9 A/W@1550nm |
43.6mV/uW @850nm | 1 mV/nW @960nm | 9mV/uW@1550nm | |
飽和光功率 | 113pW@ 850nm (Hi-Z) | 6uW @960nm (Hi-Z) | 660 uW@1550nm (Hi-Z) |
帶寬 | DC ?-5MHz | DC - 200kHz | DC - 5MHz |
NEP | 7.2 pW/4HZ1/2 | 2.2 pW/HZ1/2 | 64.5 pW/HZ1/2 |
輸出噪聲（RMS） | 700 uV | 1 mV ?typ | 1.3 mV .typ |
暗電流偏置（MAX） | ±5 mV | ±1 mV | ±5 mV |
上升沿/下降沿（10%—90%） | 65 ns | 1.7 us | 68ns |
輸出電壓Hi-Z | 0- SV (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) |
500 | 0 ? 2.5V (50ohm) | 0 ? 25V (50ohm) | 0 ? 25V (50ohm) |
增益倍數(shù) | |||
Hi-Z | 67.5 kV/A | 1.68 MV/A | 10 kV/A |
500 | 33.8 kV/A | 0.84 MV/A | 5kV/A |
增益精度（typ） | ±1% | ±1% | ±1% |
其他參數(shù) | |||
撥動開關(guān) | 撥動開關(guān) | 撥動開關(guān) | |
輸出接口 | BNC | BNC | BNC |
尺寸 | 53*50*50mm | 53*50*50mm | 53*50*50mm |
重量 | 150g | 150g | 150g |
操作溫度 | 10-50deg | 10-50deg | 10-50deg |
存儲溫度 | ?25°C - 70°C | -25°C - 70°C | -25°C - 70°C |
| 硅基光電探測器，帶放大，固定增益,型號參考 | ||||||||||
| 目錄 | 波長 | 帶寬 | 上升時間 | 增益 | RMS噪聲 | NEP | 感應(yīng)面積 | 工作溫度 | 電源 | |
| Hi-Z 負載 | 50Ω 負載 | |||||||||
| PDA12A8B4G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 140MHz | 2.5 nS | 1*104 V/A | 5*103 kV/A | 850μV .typ | 2*10-11 W/√HZ | 1.2mm*1.2 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA12A7B4G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 50MHz | 7 nS | 5*104 V/A | 2.5*104 kV/A | 800μV .typ | 6.3*10-12 W/√HZ | 1.2mm*1.2 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA25A6B4G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 5MHz | 68 nS | 1*105 V/A | 5*104 V/A | 700μV .typ | 5.3*10-12 W/√HZ | 2.5mm*2.5 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA36A5B6G-VIS | 320 - 1100 nm | DC - 200KHZ | 1.7 μS | 1.68*106 V/A | 8.4*105 V/A | 1mV .typ | 2.2*10-12 W/√HZ | 3.6mm*3.6mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA25A4B8G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 20KHZ | 18 μS | 1*108 V/A | — | 1.5mV .typ | 1.8*10-13 W/√HZ | 2.5mm*2.5 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
光譜靈敏度
交流傳輸特性
外觀及安裝使用
測試案列：
測試光源：
PN：PL-DFB-9672.4-B-A81-PA
SN：DO3431e-q2-Bo2-A19
測試條件：25℃、激光器電流掃描15-23mA，探測器輸出如下圖。
此款探測器在972nm時，探測精度高，微弱光（幾十微瓦）也可以探測到。
尺寸圖
| 名稱 | 型號貨號 | 描述 | 參數(shù) | 價格 |
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營業(yè)執(zhí)照