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非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 紅外光伏探測器 2.15-3.5um


最佳波長λopt:2.15±0.2μm;光敏面積 1×1mm^2;相對響應強度D* (λpeak): 2.95±0.3 cm·Hz1/2/W;有源元件材料:外延InAs異質結構

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產品總覽

PVIA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷卻紅外光探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。 

產品特點

● 可探測紅外波長范圍2-5.5μm

● 可配專用前置放大器

● 高溫度穩(wěn)定性與機械耐久性

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現(xiàn)光學浸沒,提升探測器的性能


產品應用

● 熱成像

● FTIR光譜學

● 激光外差探測

● 中紅外氣體分析


通用參數(shù)

參數(shù)

探測器型號

PVIA-3

PVIA-5

有源元件材料

外延InAs異質結構

外延InAsSb異質結構

zui佳波長λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

相對響應強度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

2.95±0.3

4.7±0.3

相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

3.5±0.2

5.5±0.2

電流響應度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥5×1010

≥5×109

時間常數(shù)T,ns

≥1.3

≥1.3

電阻R,Ω

≤20

≤15

元件工作溫度Tdet,K

≥2K

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO39

接收角Φ

~36°

窗口


探測器光譜響應特性曲線


封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖


透鏡參數(shù)


參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學區(qū)域面積AO, mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

2.4±0.20


?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—超半球微型透鏡底部與焦平面的距離


引腳定義

功能

引腳號

探測器

1(-),2(+)

接地

3






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