碲化鋅晶體（ZnTe) 5*5*1mm ?25.4mm.pdf(?)
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封裝尺寸：5*5*1mm 支架?25.4mm； 晶格結(jié)構(gòu)：立方閃鋅礦；密度：5.633g/cm^3； 比熱：0.16j/gK；帶隙(300K)：2.25eV；透過率（λ=7-12um) ：60%； 電阻率：109 Ohm*cm；折射率（λ=10.6um)：2.7；
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碲化鋅（ZnTe)晶體，是一種具有優(yōu)異電光性能的II-VI族化合物半導(dǎo)體，自然條件下是閃鋅礦（ZB）結(jié)構(gòu),室溫下帶隙寬度為2.3eV，其二階非線性系數(shù)與電光系數(shù)均較大，輻射和探測THz電磁波的效率比其他電光晶體高，因此ZnTe晶體被認(rèn)為是比較好的THz輻射源和探測器材料。ZnTe晶體<110>方向在 800nm附近激光脈沖作用下相位匹配*****,為ZnTe晶體作為太赫茲輻射產(chǎn)生和探測的常規(guī)使用方向。此外，ZnTe晶體還可以廣泛應(yīng)用于各種光電子器件中,如綠光發(fā)光二極管、電光探測器、太陽能電池等
·應(yīng)用于THz產(chǎn)生、探測和光學(xué)限幅器
·晶體純度高 99.995%-99.999%
·表面質(zhì)量優(yōu)
晶格結(jié)構(gòu) | 立方閃鋅礦 |
密度 | 5.633g/cm3 |
比熱 | 0.16j/gK |
帶隙（300K） | 2.25eV |
透過率（λ=7-12um) | 60% |
電阻率 | 109 Ohm*cm |
折射率（λ=10.6um) | 2.7 |
電光系數(shù)r41（λ=10.6um) | 4.0×10-12m/V |
電阻率 | (1) Low:<103Ohm*cm (2) High:>109Ohm*cm |
封裝尺寸 | 5*5*1nm ?25.4mm |
營業(yè)執(zhí)照