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II型超晶格三級熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測器 1.6-10.5um


響應(yīng)波長范圍1.6-10.5μm;峰值波長10.5±0.3μm;探測率~2.5×10^8cm·Hz^(1/2)/W@10.5μm;光敏面積 0.1X0.1mm

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產(chǎn)品總覽

PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70是一種具有優(yōu)良參數(shù)的II型超晶格三級熱電冷卻紅外光導(dǎo)體。光導(dǎo)探測器應(yīng)在z佳偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻率下的性能會降低。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗(wZnSeAR)防止不必要的干擾效應(yīng)。對于連續(xù)波輻射的檢測,推薦使用光斬波系統(tǒng)。該探測器不含汞和鎘,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 

型號參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 超寬光譜范圍:1.6 ~ 14.4μm

● 高響應(yīng)度

● 好的線性關(guān)系


產(chǎn)品應(yīng)用

● 中紅外氣體吸收檢測

● 中紅外激光探測


測試條件:Ta=20℃

參數(shù)

探測器類型

PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70

有源元件材料

外延超晶格異質(zhì)結(jié)構(gòu)

起始波長λcut-on(10%),μm

1.6±0.2

峰值波長,λpeak,μm

10.5±0.3

截止波長λcut-off(10%),μm

14.4±0.3

響應(yīng)度D*(λpeak, 20 kHz), cm·Hz1/2/W

~2.5×108

電流響應(yīng)度Ri(λpeak), A/W

~1.5

時(shí)間常數(shù)T,ns

~4

電阻R,Ω

~45

偏置電壓Vb, V

typ. 0.5

1/f噪聲角頻率fc,   Hz

typ. 20k

工作溫度Tdet,K

~210

光敏面A,mm×mm

0.1×0.1

封裝

TO8

接收角度Φ

~70°

窗口

wZnSeAR

20℃探測器的光譜響應(yīng)曲線

PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70.jpeg

兩級TE冷卻參數(shù)表

參量

數(shù)值

Tdet,K

~210

Vmax,V

3.6

Imax,A

0.45

Qmax,W

0.27


熱敏電阻特性曲線

2te1.png

窗口鏡抗反射涂層透過率曲線

4.png

輸入功率與輸出電流線性度曲線(TBB—黑體溫度)

tt3.png


封裝及尺寸

3TE-TO8封裝尺寸圖

22222.jpg

3TE-TO8引腳定義

功能

PIN號

探測器

1,3

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12

備注:使用和儲存注意事項(xiàng)

1、散熱3TE冷卻器產(chǎn)生的熱量,需要有~2 K/W的熱阻散熱器。

2、工作環(huán)境濕度為10% ~ 80%,環(huán)境溫度為-20℃~ 30℃。

3、功率限制:連續(xù)波或單脈沖輻照度大于1 μs時(shí),對視光學(xué)有源區(qū)域的輻照度不得超過100 W/cm2;小于1 μs的脈沖輻照度不能超過1 MW/cm2。

4、儲存于濕度為10%至90%,環(huán)境溫度為-20℃至50℃的黑暗處。


通用參數(shù)

   InAs/InAsSb T2SL 光電導(dǎo)探測器 – (工程樣品)

型號冷卻浸沒截止波長 um峰值波長 um探測能力 cm·Hz1/2/W時(shí)間常數(shù)
PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-702TE11.0±0.36.2±0.3~2.8×108~12ns
PCAS-2TE-9-1×1AR-TO8-wZnSeAR-702TE11.0±0.54.0±0.5~2.6×108~17ns
PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-703TE10.5±0.36.1±0.3~4.3×108~17ns
PCAS-2TE-11-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-702TE12.0±0.36.0±0.3~1.9×108~7ns
PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-703TE14.4±0.310.5±0.3~2.5×108~4ns
PCIAS-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-363TE是的12.0±0.38.0±1.0~2.0×108~4ns
PCAS-2TE-13-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-703TE15.0±0.310.7±0.3~1.2×108~3ns


InAs/InAsSb T2SL 光伏探測器 – (工程樣品)

型號冷卻浸沒截止波長 um峰值波長 um探測能力  cm·Hz1/2/W時(shí)間常數(shù)
PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-906.2±0.24.2±0.3~1.2×109~11ns
PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-702TE5.8±0.24.0±0.3~9.0×109~4ns



其它型號
  名稱 型號貨號         價(jià)格
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測器 兩級TE冷卻 1.7-5.8um E80040154
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II型超晶格三級熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測器 1.6-10.5um E80040170
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InAs/InAsSb T2SL 光伏探測器 非制冷 1.6-6.2um E80040171
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II型超晶格兩級熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測器 1.6-12um E80040172
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II型超晶格兩級熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測器 1.6-15um E80040174
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II型超晶格兩級熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測器2-11um E80040175
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II型超晶格兩級熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測器 1.6-11um TO8 E80040176
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