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InAs 紅外光伏探測(cè)器 兩級(jí)TE冷卻 2-5.5um


響應(yīng)波長范圍 :2-5.5μm;峰值波長: 2.9μm;相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度:≥5×10^10 cm?Hz^(1/2)/w@2.9μm;光敏面積:0.1×0.1mm^2;

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產(chǎn)品總覽

PVA-2TE系列是基于InAs1-xSbx合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 可探測(cè)紅外波長范圍2-5.5μm

● 采用兩級(jí)TE冷卻有效提高探測(cè)效率

● 可配專用前置放大器

● 高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性


產(chǎn)品應(yīng)用

● 醫(yī)學(xué)熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外激光探測(cè)


通用參數(shù)

參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70

PVA-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70

有源元件材料

外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)

外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)

起始波長λcut-on (10%), μm

2.1±0.2

2.4±0.2

峰值波長λpeak(μm)

2.9±0.3

4.7±0.3

截止波長λcut-off (10%), μm

3.4±0.2

5.5±0.2

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥5×1010

≥4×109

電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W

≥1.3

≥1.5

時(shí)間常數(shù)T,ns

≤15

≤20

電阻R,Ω

≥200K

≥1K

元件工作溫度Tdet,K

~230

感光面尺寸A,mm×mm

0.1×0.1

封裝

TO8

接收角Φ

~70°

窗口

wAl2O3



TO8型封裝外形尺寸圖



PVA-2TE4.jpegPVA-2TE5.jpeg


2TE-TO8引腳定義

功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

1,3

反向偏壓(可選)

1(-),3(+)

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線


PVA-2TE1.jpeg



熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg



兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表


參量

數(shù)值

Tdet , K

~230

Vmax , V

1.3

Imax , A

1.2

Qmax , W

0.36


抗反射涂層窗口光譜透過率曲線


PVA-2TE3.jpeg






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